規格を満たさないと商品として販売できませんからメーカーは十分な余裕を持ったように製品を作ります。 3.オープンドレイン内蔵デバイス参考データシート「http://datasheet.sii-ic.com/pub/ic/speedfaq/jpn/power/vd/FVD8.PDF」 ・理解その1 その場合、各相の線電流を計算し、電流値に線電流を使用して、各相の電流による電圧降下計算を簡易式により行い、各相の内最大となるサイズを求めたいのですが、係数は(17.8、30.8、35.6)何を使用したらよいのでしょうか? しかし、圧電素子に外力を与えた時の電圧と電流を同時に測れなくて困っています。 上記の点に悩んでおります、、どうかご助力頂けないでしょうか。 詳しい説明のあるWebsiteへのリンクでも構いません。 本製品のSourceを10Vとしてオンさせ、Drain側の負荷に電流を流す場合、MOSFETの両端(SD間)はオン抵抗の電圧降下分となり、ほぼ0Vだと思うのですが、VDS=0VのときはIdは流れないとあります。このような使い方は多いと思うのですが、電流は流れるのでしょうか。(図1) はてさて,GNDと合わせて3本でデータが送れ,バス状に結線できるので便利なI2C. 上記資料1(p.47)から最小出力電流IOL(シンク電流)は3mA、Lowレベル最大出力電圧VOLは0.4Vであることが分かりました。上記資料1(p.55)や上記資料2(p.6)ではRpmin<(Vcc-0.4V)/3mAと計算しておりますが、これはIOLが3mAのときでもRpにおける電圧降下を大きくして(マスタ側の内部Nch-FETにおける電圧降下を0.4V以下にして)、スレーブ側に0.4V以下のLレベルを伝えるようにするためだと理解しております。 3.AZ1117H-ADJを使った2.3V定電圧回路で負荷を駆動させた際には電圧降下は見られなかったのですが、コンパレーターの出力で電圧降下が起きたのは何故でしょうか? 検出用の1Ωの両端電圧を観察すると本来は約1Vが検出できるはずなのに0.6V位しかありません。念のためRL全体の両端電圧を測ると約6Vでした。VDSSを12V、15Vと変えてみたところ、RL両端電圧はそれぞれ約8V、約11Vで、いずれの場合もFETでの電圧降下が約4Vと観測できました。1Ωの両端も比例しています。 よろしくお願いします。, いつも丁寧な解説拝見しております。 あなたも誰かを助けることができる V=RIの式より電流値を小さくすることで電線抵抗による電圧降下は小さくなると思いますがどの程度まで小さくしてよいのでしょか。 電圧:デジタルオシロスコープで測定。 ご回答有難うございます。 「3ma以下で使わないとlowを確保できない」ということでしたらスッキリするのですが、「iolの最小値が3ma」というバス仕様書の表現に悩まされています。オープンドレイン特有の表現なのでしょうか。 以上です、よろしくお願いします。, ほとんどこの分野に触れたことがないので大変初歩的な質問になると思います。 1.I2Cバス仕様書「http://www.nxp.com/documents/user_manual/UM10204_JA.pdf」 i2c通信は2種類の信号で通信が可能で、sclとsdaの2本の信号となています。 このときの接続関係を図で示すと下図のようになり、複数のデバイスがバス構成で接続 できるよう、オープンドレインかオープンコレクタの出力回路となっています。 このように電流を小さくするほど電圧降下は小さくなると思いますが、電流をどこまで小さくすることが出来るのでしょうか。, 圧電素子の特性を調べる実験をしています。 圧電素子に外力を与えた時に発生する電圧と電流を個別に測ることはできました。 また、例えば5V/2Aの電源を使った場合、マイコン周りは電源ラインからの分岐が多いため、この抵抗に2A全てが流るわけではないことも理解しています。 その場合、各相の線電流を計算し、電流値に線電流を使用して、各相の電流による電圧降下計算を簡易式により行い、各相の内最大となるサイズを求めたいのですが係数は, ふつう、こういう場合は抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が決まっていることが前提だと考えていました。V=IRを計算するためには、この変数のうち2つを知っていなければならないからです。 抵抗値を決めてからやっと、V=IRより流れる電流が決まるため、それから再度流れる電流と抵抗を調節していって電圧降下が0.9Vとなるように設定するのでしょうか。どうぞご助力お願いします。 またこのような出力端子がある場合よくプルアップ抵抗をつなげたりしますが、その理由を詳しく説明できればありがたいです。 抵抗値×電流=0.9Vとなるようにプルアップ抵抗の値を決めるべきだと考えていますが、この抵抗に流れる電流が分からないため、決めるのは不可能ではないでしょうか? →0.4Vより小さな電圧降下となる場合IOLは3mAより小さくなるため規格を満たしません。(Lowレベル最大出力電圧VOL=0.4Vより) 例えば、ロームの24A01AF-Wでは3mA流したときのVoは0.2V以下です。6mAでも0.4V以下です。 じゃあ、プルアップ抵抗はどこまで大きくできるかですが、こちらは線の容量とスピードの関係や、漏れ電流の関係で決まります。, ご回答有難うございます。 FETとしては3mA流したときにVdsが0.4V以下になるものを使用することで規格を満足することができます。 以上、ご回答お待ちしております。, 抵抗の両端で電圧降下することを利用し電圧、電流を求め、オームの法則より抵抗値を測定する電圧降下法についてです。※電圧計や電流計の内部抵抗が測定に影響を与える。 回答よろしくお願いいたします。。, 3相3線 電圧降下計算について教えて下さい。 動作. B点での電圧を4.1Vとしたい場合について考えています。その場合、AB間での電圧降下は0.9Vとなります。 これはその通りです。 赤外線リモコン受光素子とそれを処理するマイコンとの距離が可変(電線で接続)する場合、距離が長くなると電圧降下が発生すると思いますが、この場合、REM出力電流値はどのように決めるのでしょうか。 いつも丁寧な解説拝見しております。 (1)電圧降下法で何回も電流を変えて測定する理由を教えてください。 ■1点目 圧電素子の知識がないので、なぜ同時に測れないのか?どうすれば電圧と電流を同時に測ることができるのか教えていただきたいです。 路線電圧降下=電流×電線1線の抵抗 で良いのでしょうか? また、電圧降下値はそれぞれの区間の各相の電圧降下値で最大値を合計したものを末端負荷までの電圧降下値として宜しいのでしょうか? プルアップ抵抗Rpの最小値決定方法について悩んでおります。 のどれを使用したらよいのでしょうか? (Figure 4を参照) Vth(max):1.5V (プルアップ抵抗は以下すべての条件で1k、数値はデジタルテスターで計ったものです) ■2点目 また、ブラシの電圧降下についてもよくわからないので、どなたか教えてください。 3.3V 、2.3V(後述、定電圧回路)をプルアップ抵抗にかけた場合は負荷時の電圧が2Vを下回り駆動することが出来ませんでした。 ゲート閾値電圧は測定条件によってmin/maxが変化すると理解しているのですが、データシートに記載されていない条件での閾値電圧は計算等で算出することが可能なのでしょうか。 17.8-単相3線式 前回、コンパレーター出力電流について質問をさせて頂き、添付ファイルの回路を組んで一応は動いたのですが、何点かこれでよいのか疑問になる点があります。 データシートのID特性ではVDSが0.1Vから示されているのに電圧降下が4Vではおかしいと思うのですが。また、IDma=209A、PD=470Wからして4Vも電圧降下があれば定格電流でPD許容値を超えてしまいます。 こんにちは。 FPGA を安全に取り扱えるようになることが当面の目標のトットです。, 前回は、 IOE の出力バッファの Current Strength について調べましたがこの出力バッファよく見てみると、他にも機能がついていました。, Current Strength の機能を知って満足していた自分が恥ずかしいです・・・・, 新人エンジニアの私は、まず Open Drain という言葉をみて・・・・・???, FET トランジスタのドレインを回路内でなにも接続せずに、外部に引き出した出力のことです。回路内で何も接続しない・・, これは、研修で学んだオープンのことだ!! と同じにしておいたほうが良いのでしょうか? プッシュプル出力について詳しい説明お願いします。 ある電線を伝って負荷へ直流電圧を供給している場合の、ケーブルでの電圧降下(ロス)を計算で求めたいのですが、求め方は以下の通りで問題ないのでしょうか? All Rights Reserved. 2.1で電圧降下が起きるのであれば、あらかじめ電圧降下が起きることを前提としたコンパレーターの出力電圧で設計し、プルアップ抵抗にかける電源電圧はコンパレーターの出力電圧 ■3点目 あなたもQ&Aで誰かの悩みに答えてみませんか?, http://www.nxp.com/documents/user_manual/UM10204_JA.pdf, http://ww1.microchip.com/downloads/jp/AppNotes/01028B_JP.pdf, http://datasheet.sii-ic.com/pub/ic/speedfaq/jpn/power/vd/FVD8.PDF, http://rohmfs.rohm.com/jp/products/databook/datasheet/ic/memory/eeprom/br24axxxf-wlb-j.pdf. 電圧降下について質問です。MOSFETにはON抵抗があり、負荷側に吸い込まれる電流値に比例した電圧降下(ON電圧)が発生すると理解しております。例えば(図1)でDrain側に5V与えてオンさせた場合、Vds=5Vとなります(図2)。仮にSD間のON抵抗による電圧降下が0.4Vだとすると、Drain側の電圧は4.6Vになりそうですが、5Vは別電源なので5Vのまま…どうもVdsとオン抵抗の関係が理解できずに困っております。 更に電流を0.1mAに減らすと電圧降下は0.0005Vと小さくなると思います。 配電方式が3相3線210Vの場合で、負荷が不平衡となっています。 Vth(min):0.8V の部分を誤解されているようです。 もし、4mA流したためにVdsが0.4Vを超えたとしても、それはそのような回路設計をした人が悪いのであってICのメーカーには責任がありませんと言うことがいえます。, >プルアップ抵抗から3mA以上流してはならないということであって in に Low の信号が入ると、 ドレイン が オープン となるので Out は ハイインピーダンス になり、inにhighが入ると Out は Low になる回路だということが分かります。 オープン の意味が分かったところで満足していたところ、先輩から 『 Open Drain , Open Collector , Tri-state ,の 違い は? よろしくお願いします!, 今第二種電気工事士の勉強をしているのですが電圧降下とはどういうものなのかよく分かりません。テキストには「電圧降下とは抵抗に電気が流れるとき、流れ込む点の電位よりも、流れ出る点の電位の方が低くなることをいう・・・」とかかれているのですがいまいち意味がわかりません。 質問が3点ございますが、答えて頂けるものだけでも良いのでよろしくお願い致します。 電源ラインからは「使う電流」だけ引っ張るイメージだと理解しているのですが、その「使う電流」が分からないため抵抗値を決定できません。(ポート入力電流の最大定格はありますが…) 電流:抵抗をつなぎ、抵抗にかかる電圧降下をオシロではかり、電流を測定。 http://rohmfs.rohm.com/jp/products/databook/datasheet/ic/memory/eeprom/br24axxxf-wlb-j.pdf プルアップ抵抗にかける電源電圧はコンパレーターの出力電圧以上でも問題ないのでしょうか? 1.添付の一応動作した回路ではプルアップ抵抗にかける電圧5Vの影響で出力電圧が無負荷で3.8V、負荷時に3.4V~2.8Vになり オープンドレイン出力及び プッシュプル出力について詳しい説明お願いします。 詳しい説明のあるWebsiteへのリンクでも構いません。 またこのような出力端子がある場合よくプルアップ抵抗をつなげたりしますが、その… (2)電圧降下方以外の抵抗の測定法を教えてください。 教えて下さい。, よろしくお願いします。 35.6-単相2線式 図1のような回路でプルアップ抵抗の値を決めたいと思っています。 オープンドレインっぽいので Lowレベル出力の端子と GNDを接続できます。 また、吸い込み電流は 25mAで、ピンを並列接続する事で吸い込み電流を増やせます。 (距離を置いてR-S、S-T、T-Rにそれぞれに単相(210V)の容量の異なる負荷が接続され不平衡となっています) より、V=I*ρ*L/S これは、プルアップ抵抗から3mA以上流してはならないということであって、出力トランジスタが3mA以上流してはならないと言うことではありません。 しかしこれは測定条件が(Vds=3V, Id = 0.1mA)のときとなっております。これは、「Vds=3Vを印加している際に、Idを0.1mA流すために必要なゲート閾値電圧Vthは0.8V~1.5Vである。」と理解しており、ならばVdsが変化するとVthも変化してしまい、0.8Vを下回ってしまうこともあるのでは?そうなった場合は問題になってしまう、というのが質問の背景になります。VthとVdsに相関はあるのでしょうか。 CD間の電圧降下が5Vであることと、回路全体を流れる電流が2Aであることから、キルヒホッフの法則より簡単にRの値とそれぞれの抵抗に流れる電流が分かります。今回の例もこれと同じように考えられないのでしょうか。, 少し大きい電流をON-OFFしようとIR製FET、IRFP2907PbFを買って、とりあえず動作実験と思いVDSS=10V、RL=10+1Ω、VGS=10V、Rg=50Ω、Rgs=10kΩの回路を構成し、入力は普通の押しボタンで実験してみました。1Ωは電流値検出用です。 誰かの疑問に誰かが答えることでQ&Aが出来上がり、後で見に来たたくさんの人の悩みの解決に役立てられています。 (距離を置いてR-S、S-T、T-Rにそれぞれに単相(210V)の容量の異なる負荷が接続され不平衡となっています) また、電圧降下値はそれぞれの区間の各相の電圧降下値で最大値を合計したものを末端負荷までの電圧降下値として宜しいのでしょうか? 現在のやり方として圧電素子に抵抗とオシロをつないで、CH1を回路全体、CH2を電圧降下で測定しようとしたのですが、同時に測ることが出来ませんでした。 だから、プルアップ抵抗は大きい値にすればVOLは0.4V以下になるし、出力能力3mAで十分ドライブできることになります。 またなぜ電圧降下は電流と逆に発生するのでしょうか? I2CのSDAとSCLにダンピング抵抗を入れる場合各スレーブICのSDAとSCLのピン直近の近傍に入れるのでしょうか。それとも、SCLとSDAの分岐する前のSCLとSDAに入れるのでしょうか。 SCLは受信なので入れる必要があるのでしょうか? 直列にダンピング抵抗を入れる理由としては、LoからHiになった際に … Copyright (C) 2001 - 2020 hatena. !と自分の成長を少し喜び、 Open Drain ・・, オープンの時は電圧が安定しないのでハイインピーダンスになるのではないか?と仮説をたてて、回路を調べてみました。, in に Low の信号が入ると、ドレインがオープンとなるので Out はハイインピーダンスになり、inにhighが入ると Out は Low になる回路だということが分かります。, 『 Open Drain , Open Collector , Tri-state ,の違いは? 』と聞かれたので調べてみました。, Open Drain は、 FET トランジスタのドレインをオープンにするのに対し、, Open Collector は、バイポーラトランジスタのコレクタをオープンにすることです。, バイポーラトランジスタのコレクタをオープンにし、出力はハイインピーダンスとなります。, Tri-state  回路は、複数のトランジスタを組み合わせ、EN信号でハイインピーダンスを制御します。, 回路の EN のトランジスタが ON の状態。 in  で入った信号がそのまま出力されています。, Tri-state  の回路は、 EN の信号によってハイインピーダンスを制御しています。, ここで私は、疑問に思いました。『そもそも、ハイインピーダンスってどのような時に使われるのだろう?』, ・Open Drain とは、 FET トランジスタのドレインをオープンにし、出力はハイインピーダンスとなる。, ・Open Collector とは、バイポーラトランジスタのコレクタをオープンにし、出力はハイインピーダンスとなる。. 以上です。宜しくお願いします。, http://www.logitouch.com/download/pdf/lt_qa.pdf, >オープンドレイン出力とはどのような意味ですか? 電流流し込み型の出力形態を指します。, http://www.orixrentec.co.jp/tmsite/know/know_openc64.html, オープンドレイン(上記URLはバイポーラトランジスタなのでオープンコレクタですが理屈は同じ)は出力回路のFETのドレインがどことも繋がっていない状態になっています。ですのでプルアップ抵抗を介して電源(Vcc/Vdd)と繋いで初めて動作します。ものによっては電源電圧より高い電圧での動作を保障しているものもあります。PCでいうとプリンタ端子は確かオープンコレクタ回路だったはず。, これが使われる用途は例えば多数のオープンドレイン出力を1本のプルアップ抵抗に繋いでORを取りたい(ワイアードOR)ときとか、一般に普通のプッシュプル出力よりも大きな電流を流せることが多いので外にアナログ的な回路やリレーなどを繋いで直接ドライブしたいとかそういうときに使います(実際に使うときにはマニュアルを見てください)。, ロジック回路のプッシュプルは出力の上(電源側)と下(グラウンド側)にそれぞれスイッチング素子が付いていて上側が導通すると出力がHレベルに、下側が導通するとLレベルになる形式のものです。上記URLの図2または3ですね。普通プッシュプルとわざわざ断って言うことはありません。, によってはオープンドレインかプッシュプル出力かを選択できるマイコンがあるのですが、, 「あの人に答えてほしい」「この質問はあの人が答えられそう」というときに、回答リクエストを送ってみてましょう。. 長さLは実際に測ればいいですし、断面積Sもケーブルを調べれば分かります。 Ids-Vdsは使用目的によって適切なものを使用します。 よろしくお願いします。, 3相3線 電圧降下計算について教えて下さい。 そういうことだったのですね。スッキリしました。ご回答有難うございました。, →0.4Vより小さな電圧降下となる場合IOLは3mAより小さくなるため規格を満たしません。 →3mAより大きな電流が流れるとVdsは0.4Vより大きくなるため規格を満たしません。(最小出力電流IOL=3mAより) ご回答お待ちしております。, >3mAより大きな電流が流れるとVdsは0.4Vより大きくなるため規格を満たしません。   電圧降下V=1Ω×5m×1mA=0.005V タミヤのジャパンカップが昔島根県で開催されていたと思うのですが、どなたかご存知ないですか? なお、これは地区予選だったかもしれ…, android版のヒューマンフォールフラットをスマホ対応のコントローラーでしようとしたところボタンを押しても反応がないです…何がいけ…, WindowsでInstagramのフォロワーを一括解除する方法(サイトなど)ありませんか?グーグルプレイは使えません。…, アメリカ選挙(上院選挙)の件で、投稿しました。ジョージア州では、民主党と共和党の候補がいずれも過半数に達することができず、決…, 進んだ先のページで「許可する」ボタンを押してはてなによるアクセスを許可すると、認証が終わります。. 以下の東芝様の製品(SSM3K15F)を例にとって、MOSFETについて質問させて頂きます。 Iは流れる電流なので、クランプメータ等で測定し、ρは抵抗率なので、その使用電線の特性を調べれば出るかと思います。 以下、理解の補足です。 R=ρ*L/S IOLの最小値が3mA ということは、「I2Cのデバイスは出力電流として最低でも3mAは流せなくてはならない(VOL=0.4Vにおいて)」という意味ですから、最低でも3mA流さなくてはいけない、のではなく、3mA以下で使わないと、LOWを確保できない、ということを言っているのです。 しかし上記資料3(p.2)にもあるようにNch-FETにはIds-Vds特性があるため、例えばVcc=3.3VでIOL=3mAとすると負荷線によりVOLは決定されてしまいます。I2Cバスはこれが0.4VになるようなIds-Vds特性だということなのでしょうか。 sn74lvc1g07 の出力はオープンドレインであり、他のオープンドレイン出力に接続してアクティブ low のワイヤード or またはアクティブ high のワイヤード and 機能を ... すべて表示 34. 「3mA以下で使わないとLOWを確保できない」ということでしたらスッキリするのですが、「IOLの最小値が3mA」というバス仕様書の表現に悩まされています。オープンドレイン特有の表現なのでしょうか。, 素人な質問ですみません。 また、Vds=0.4V、IOL=3mAというIds-Vds特性を持っていた場合、 分かりにくい点などございましたら概念図も添付致します。 教えてください、よろしくお願いします。, あなたを助けてくれる人がここにいる http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=SSM3K15F®ion=jp&lang=ja Vds=0.4V、IOL=3mAというスペックに対してVds=0.4V、IOL=3mAというIds-Vds特性のディバイスを使用することは有りません。, ご回答有難うございます。 例えば電源がDC5V、電線の抵抗が1Ω/m、電線長が5m、REM出力電流を1mAとした場合、 このような問題があるのですが、よくわかりません。 なぜ、4Vも電圧降下するのか、何か取り違えているのでしょうか?どうすればいいのでしょうか!どなたか、教えてください。, >3mA以上流さなければならない、ではなく、3mA以上流してはならないということなのでしょうか。 どなたか教えて下さい。, ケーブルの電圧降下について質問です。 例えば本製品ですと以下のように記載されております。 ・理解その2 参考資料の「ICがLOWを出力した時に、VOLMAX=0.4V IOLMAX=3mAを満たすこと」という表現に驚いております。バス仕様書に記載されている「最小出力電流IOL(シンク電流)は3mA」とは、3mA以上流さなければならない、ではなく、3mA以上流してはならないということなのでしょうか。。, センサーからの出力ON時2.4V2mAをコンパレータNJM2403を電圧比較回路でH/Lで出力させてH時に約2V、3mAの電流消費で動作する物を駆動させようとしています。 直流回路の線路電圧降下の求め方は、 V=I*R 配電方式が3相3線210Vの場合で、負荷が不平衡となっています。 30.8-三相3線式 理解その1で書いたように、抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が必要だと理解しています。図2を例に説明します。Rの値を決めたいとします。 2.I2Cデバイス参考データシート「http://ww1.microchip.com/downloads/jp/AppNotes/01028B_JP.pdf」 以上で出るのでしょうか?, 「直流分巻電動機が100Vの電源に接続され、60Aの電流をとっている。無負荷電流4A、分巻界磁回路の抵抗40Ω、電機子抵抗0.1Ω、ブラシの電圧降下2Vとすると、この電動機の出力は何kWになるか」